SK Hynix daha az güç kullanan altıncı nesil DRAM çipi geliştirdi

Şirket’ten yapılan yazılı açıklamada, “10nm menzilli DRAM teknolojisinin küçülme sürecini ilerletmenin zorluk derecesi nesiller boyunca arttı, ancak SK hynix, 10nm sürecinin beşinci nesli olan 1b’nin endüstri lideri teknolojisi sayesinde tasarımdaki tamamlanma seviyesini yükselterek teknolojik sınırlamaların üstesinden gelen sektördeki ilk şirket oldu” denildi.

SK Hynix, 1c DDR5’in seri üretimine yıl içinde hazır olacağını ve gelecek yıl hacimli sevkiyata başlayacağını söyledi. Sürecin ilerletilmesi prosedüründen kaynaklanan potansiyel hataları azaltmak ve en iyi performansa sahip DRAM’iyle büyük beğeni toplayan 1b’nin avantajını en verimli şekilde aktarmak için şirket, 1c’nin geliştirilmesi için 1b DRAM platformunu genişletti.

Yeni ürün, EUV uygulama sürecini optimize ederken, aşırı ultra viyole veya EUV’nin belirli işlemlerinde yeni bir malzeme benimseyerek önceki nesle kıyasla maliyet rekabetçiliğinde bir iyileşme ile birlikte geliyor. SK hynix ayrıca tasarımdaki teknolojik yenilikler sayesinde verimliliği %30’dan fazla artırdı. Yüksek performanslı veri merkezleri için benimsenmesi beklenen 1c DDR5’in çalışma hızı, önceki nesle göre %11 artırılarak 8Gbps’ye yükseltildi. Güç verimliliğinin de %9’dan fazla iyileştirilmesiyle SK hynix, 1c DRAM’in benimsenmesinin, yapay zeka çağının ilerlemesinin güç tüketiminde artışa yol açtığı bir dönemde veri merkezlerinin elektrik maliyetini %30’a kadar azaltmasına yardımcı olmasını bekliyor. DRAM Geliştirme Başkanı Kim Jonghwan, “HBM1, LPDDR62 ve GDDR73 dahil olmak üzere başlıca yeni nesil ürünlerimize en iyi performans ve maliyet rekabetçiliği ile donatılmış 1c teknolojisini uygulayarak müşterilerimize farklılaştırılmış değerler sunmaya kararlıyız. DRAM alanındaki liderliğimizi ve en çok güvenilen yapay zeka bellek çzümü sağlayıcısı konumumuzu korumak için çalışmaya devam edeceğiz.” dedi